Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.MünchenTED
Fully Automated Wafer Photoresist Strip & Metal Etch Wet Tool - PR1184925-3460-W
Fully Automated Wafer Photoresist Strip & Metal Etch Wet Tool
Submission deadline: June 18, 2026 (expired)Type: Tender
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- Tender type:
- Tender
- Contracting authority:
- Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
- Published:
- May 14, 2026
- Deadline:
- June 18, 2026
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Fully Automated Wafer Photoresist Strip & Metal Etch Wet Tool
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6Fully Automated Wafer Photoresist Strip & Metal Etch Wet Tool
Fraunhofer-Gesellschaft, Einkauf B12Deadline: Jun 18Beschreibung: Fully Automated Wafer Photoresist Strip & Metal Etch Wet ToolFully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) - PR1097493-3460-P
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12München1x vollautomatisches Wafer-Reinigungsgerät für Nassreinigung und optionales Ätzen von Wafer-Substraten (Si/Glas, 200/300 mm, Dicke bis 2,5 mm). Entfernt organische/anorganische Kontaminationen für Anwendungen wie TSV-Reinigung (Aspektverhältnis bis 25:1), BEOL-Dekontamination und Cu/Cu-Hybrid-Bonding. Anforderungen: Partikelkontrolle <1 μm, metallische Kontamination <10^9 Atome/cm², Oberflächenrauheit <5 Å. Kompatibel mit 3D-Wafer-Stapeln (Verzug bis 1500 μm). Manuelle FOUP-Beladung, automatische Prozessschritte: Wafersortierung, Wenden, Nassprozesse, Rückführung. Rezeptprogrammierung für F&E. Sicherheitsschrank für Chemikalien. Optional: gedünnte Wafer (300-600 μm), extremer Verzug bis 2500 μm, anorganisches Ätzen, Megasonik, Einzelwafer-Sprühprozess, einstellbarer Sprühstrahl.Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130)
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12ZV Hansastraße 27C 80686 MünchenEin vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten mit Durchmessern von 200 oder 300 mm und Dicken von bis zu 2,5 mm. Das Gerät muss Partikelkontrolle auf weniger als 1 μm Größe, metallische Oberflächenverunreinigung von weniger als 10^9 Atomen/cm^2 und Oberflächenrauheit von weniger als 5 Å erreichen. Es ist mit 3D-Waferstapeln mit hoher Verformung/Wölbung kompatibel und muss die Schritte Entladen, Wenden, Nassprozesse und Entladen der Wafer vollautomatisch ausführen können. Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein. Ein Sicherheitsschrank für das Mischen und die Lagerung aller erforderlichen Nasschemikalien ist erforderlich. Optional können Waferdickenbereiche von 300 bis 600 µm und ein extrem verzogener und gewölbter Bereich von 1500 bis 2500 µm unterstützt werden.BEoL Layer Transfer, fully automated (IZM-135) - PR1108543-3460-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchen1x fully automated IR laser debonder for temporary bonding and debonding of semiconductor wafers (<20µm) on Si carrier wafers. Processes wafer pairs mounted on film frames. Performs automatic loading, mechanical alignment, wafer ID reading, IR laser treatment, and unloading. Supports parallel processing for high throughput. Suitable for Si and other wafer materials, BEoL layers, and various bonding layers.Atomic Layer Deposition (ALD)-Anlage
Technische Universität MünchenMünchenDeadline: Jul 13s. LeistungsbeschreibungSingle Chamber Cleaning Tool (IZM-137) - PR1094599-3460-P
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B121x Single Chamber Cleaning Tool: Nasschemikalien-Reinigungssystem für Halbleiterfertigung. Reinigt Fotomasken, auf Filmrahmen montierte Wafer und runde Wafer (200/300 mm) mit Piranha- und SC1-Lösungen, ergänzt durch Ultraschall oder Bürsten. Ziel: Entfernung von Partikeln >250 nm für i-Line-Lithografie. Optionale Features: extreme Verformung (1500-2500 µm), vertikales Rotationsbürstsystem, programmierbare Bewegung, Medienüberwachung (Durchfluss, Druck), Sicherheitsmerkmale, CO2-Gasflaschenlagerung (2-6 kg).
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