Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12ZV Hansastraße 27C 80686 München
Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130)
Ein vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten mit Durchmessern von 200 oder 300 mm und Dicken von bis zu 2,5 mm. Das Gerät muss Partikelkontrolle auf weniger als 1 μm Größe, metallische Oberflächenverunreinigung von weniger als 10^9 Atomen/cm^2 und Oberflächenrauheit von weniger als 5 Å erreic...
Pumps, Measurement Technology, Laboratory Instruments, Process Technology, Water Treatment
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- Tender type:
- Tender
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- Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
- Published:
- May 11, 2026
- Deadline:
- Not specified
- Topic:
- Pumps
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Ein vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten mit Durchmessern von 200 oder 300 mm und Dicken von bis zu 2,5 mm. Das Gerät muss Partikelkontrolle auf weniger als 1 μm Größe, metallische Oberflächenverunreinigung von weniger als 10^9 Atomen/cm^2 und Oberflächenrauheit von weniger als 5 Å erreichen. Es ist mit 3D-Waferstapeln mit hoher Verformung/Wölbung kompatibel und muss die Schritte Entladen, Wenden, Nassprozesse und Entladen der Wafer vollautomatisch ausführen können. Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein. Ein Sicherheitsschrank für das Mischen und die Lagerung aller erforderlichen Nasschemikalien ist erforderlich. Optional können Waferdickenbereiche von 300 bis 600 µm und ein extrem verzogener und gewölbter Bereich von 1500 bis 2500 µm unterstützt werden.
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Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12Vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten (200/300 mm, Si/Glas, Dicke bis 2,5 mm). Entfernt organische/anorganische Verunreinigungen, z.B. für TSVs mit Aspektverhältnis bis 25:1, ultrahochdichte BEOL, Cu/Cu-Hybridverbindungen. Anforderungen: Partikel <1 μm, Metallkontamination <10^9 Atomen/cm², Rauheit <5 Å. Kompatibel mit stark verzogenen Wafern. Automatisiert: Entladen aus FOUP, Wenden, Nassprozesse, Rückladen. Rezepturprogrammierung für F&E. Inklusive Chemikalienschrank. Optionen: Waferdicke 300–600 μm, Verzug 1500–2500 μm, anorganischer Ätzprozess.BEoL Layer Transfer, fully automated (IZM-135)
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12MünchenBeschreibung: 1x BEoL Layer Transfer, fully automated Um der starken Nachfrage nach einer zuverlässigen Verarbeitung und Handhabung von Halbleiterwafern mit einer Dicke von weniger als 20 µm gerecht zu werden, ist die temporäre Verklebung von Bauelementwafern auf dicken Trägerwafern ein bewährtes Verfahren. Gängige temporäre Trägersysteme sind Glaswafer in Kombination mit polymerbasierten Haftschichten. Bei Glas-Trägern können die temporären Verbindungsschichten für die endgültige Wafer-Entbindung mittels UV-Laser manipuliert werden, um die Haftfestigkeit zu verringern. Das Ziel der hier spezifizierten Maschine ist es, die Entbindung mittels eines auf Infrarotlicht (IR) basierenden Lasers durchzuführen, sodass Siliziumwafer als temporäre Träger verwendet werden können. Der Zweck dieser Gerätespezifikation besteht darin, die grundlegenden Anforderungen an einen vollautomatischen IR-Laser-Debonder für das Ablösen unter anderem folgender Materialien zu definieren • Siliziumwafer und Wafer aus anderen Materialien • Gerätewafer mit einer Dicke von weniger als 20 µm • anorganische RDL-First- und Back-End-of-Line-Schichten (BEoL) vorübergehend auf verschiedenen Arten von Si-Trägerwafern unter Verwendung unterschiedlicher Verbindungsschichten verbunden und montiert. Die vorübergehend verbundenen Waferpaare werden auf Filmrahmen montiert, sodass sie in standardisierten Filmrahmenkassetten zum Laser-Debonder transportiert werden können. Das Debonding-System muss in der Lage sein, die folgenden Schritte vollautomatisch auszuführen. • Laden des Filmrahmens aus der Filmrahmenkassette • Mechanische Vorausrichtung und Lesen der Wafer-ID • Handhabung des Filmrahmens in der Laser-Entbondierungsstation • Laserbehandlung • Entladen des Filmrahmens mit dem laserbehandelten Wafer in die Filmrahmenkassette Um einen hohen Durchsatz zu erzielen, muss die Maschine in der Lage sein, den Laserprozess an einem Waferpaar und die Vorausrichtung eines anderen Waferpaars auf dem Filmrahmen parallel durchzuführen. Darüber hinaus muss die Software des Systems die Programmierung verschiedener automatischer Aktionsabläufe innerhalb und zwischen den verschiedenen Maschinenstationen und Modulen ermöglichen. Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlichen angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein. Optionale Features: - Ein FOUP-Ladeanschluss für SEMI-konforme 300-mm-FOUPs (LV-Pos. 3.2) - Module und Handhabungsstationen - 300-mm-Trennmodul (LV-Pos. 4.3) - Module und Handling-Stationen - 200-mm-Trennmodul (LV-Pos. 4.4) - Zusätzliche Endeffektoren zum Be- und Entladen der Filmrahmen (LV-Pos. 4.5.2) - Endeffektor für die Handhabung von Trägerwafern (LV-Pos. 4.5.3) - Zusätzlicher flacher Touchscreen (LV-Pos. 5.5) - Erstellen und Bearbeiten von Rezepturen auf einem zweiten Computer (LV-Pos. 5.33) - Visualisierung von Prozessparametern in Diagrammen auf einem zweiten Computer (LV-Pos. 5.34) - Umschalten der Laserquelle in den Leerlaufmodus, wenn kein Prozess läuft (LV-Pos. 7.2)300 mm BEOL large field exposure system, fully automated (IZM-132) - PR1184859-3460-P
Fraunhofer-Gesellschaft, Einkauf B12Deadline: May 18Beschaffung eines vollautomatischen 300-mm-i-Line-Belichtungssystems für BEOL-Strukturen im Sub-µm-Bereich (2,5D/3D-Chiplet-Integration). Ziel: Auflösungen <800 nm bis 500 nm L/S, Overlay-Genauigkeit <100 nm. Features: Front-/Back-Ausrichtung, variable Schärfentiefe für dicke Resists. Optionen: Verformungsausgleich >1500-2500 µm, IR-Rückseiten-Ausrichtung (≤500 nm) für TSVs/Wafer-Stapelung sowie Vorausrichtung zur Korrektur von Mitten-/Rotationsfehlern bei Wafer-Bonding.Single Chamber Cleaning Tool (IZM-137)
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12ZV Hansastraße 27C 80686 MünchenEin Nasschemikalien-Reinigungssystem für die Halbleiterfertigung, das verschiedene Medienversorgungseinheiten, Sprüh- und Spülmodule sowie Ionisierungseinheiten zur präzisen Steuerung und Überwachung der Prozessparameter umfasst. Das System unterstützt die Reinigung von Fotomasken, Wafer-Substraten und runden Wafern mit 200 mm und 300 mm Durchmesser. Es verwendet Piranha- und SC1-Chemikalienlösungen und ergänzt diese mit Ultraschallbewegung oder bürstenunterstützter Reinigung, um eine gründliche Entfernung von Partikeln und Oberflächenverunreinigungen zu gewährleisten. Optionale Features umfassen eine extreme Verformung und Durchbiegung, eine verbesserte Entfernung von Partikeln und Rückständen durch direkten Oberflächenkontakt und eine chemisch beständige Bürstenmaterial.Single Chamber Cleaning Tool (IZM-137) - PR1094599-3460-P
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B121x Single Chamber Cleaning Tool: Nasschemikalien-Reinigungssystem für Halbleiterfertigung. Reinigt Fotomasken, auf Filmrahmen montierte Wafer und runde Wafer (200/300 mm) mit Piranha- und SC1-Lösungen, ergänzt durch Ultraschall oder Bürsten. Ziel: Entfernung von Partikeln >250 nm für i-Line-Lithografie. Optionale Features: extreme Verformung (1500-2500 µm), vertikales Rotationsbürstsystem, programmierbare Bewegung, Medienüberwachung (Durchfluss, Druck), Sicherheitsmerkmale, CO2-Gasflaschenlagerung (2-6 kg).Fully Automated Wafer Photoresist Strip & Metal Etch Wet Tool
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