Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.TED
Fully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) - PR1163163-3460-P
1 System: Fully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Werkzeug für die elektrochemische Abscheidung (ECD) verschiedener Metallschichten auf Wafer-Substraten. Der Schwerpunkt liegt auf Bumps mit hohem Aspektverhältnis, Redistribution Layers (RDL) und d...
Submission deadline: April 20, 2026 (expired)Type: Tender
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1 System: Fully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Werkzeug für die elektrochemische Abscheidung (ECD) verschiedener Metallschichten auf Wafer-Substraten. Der Schwerpunkt liegt auf Bumps mit hohem Aspektverhältnis, Redistribution Layers (RDL) un...
- Tender type:
- Tender
- Contracting authority:
- Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
- Published:
- March 18, 2026
- Deadline:
- April 20, 2026
Tender description
1 System: Fully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Werkzeug für die elektrochemische Abscheidung (ECD) verschiedener Metallschichten auf Wafer-Substraten. Der Schwerpunkt liegt auf Bumps mit hohem Aspektverhältnis, Redistribution Layers (RDL) und der Kupferfüllung von Silizium-Durchkontaktierungen (TSV) mit hohem Aspektverhältnis. Die Wafer-Substrate bestehen aus Silizium und/oder Glas, haben Durchmesser
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Beschreibung: Fully Automated Wafer Photoresist Strip & Metal Etch Wet Tool - Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12München
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1x vollautomatisches Wafer-Reinigungsgerät für Nassreinigung und optionales Ätzen von Wafer-Substraten (Si/Glas, 200/300 mm, Dicke bis 2,5 mm). Entfernt organische/anorganische Kontaminationen für Anwendungen wie TSV-Reinigung (Aspektverhältnis bis 25:1), BEOL-Dekontamination und Cu/Cu-Hybrid-Bonding. Anforderungen: Partikelkontrolle <1 μm, metallische Kontamination <10^9 Atome/cm², Oberflächenrauheit <5 Å. Kompatibel mit 3D-Wafer-Stapeln (Verzug bis 1500 μm). Manuelle FOUP-Beladung, automatische Prozessschritte: Wafersortierung, Wenden, Nassprozesse, Rückführung. Rezeptprogrammierung für F&E. Sicherheitsschrank für Chemikalien. Optional: gedünnte Wafer (300-600 μm), extremer Verzug bis 2500 μm, anorganisches Ätzen, Megasonik, Einzelwafer-Sprühprozess, einstellbarer Sprühstrahl. - Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) - PR1097493-3460-P
Vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten (200/300 mm, Si/Glas, Dicke bis 2,5 mm). Entfernt organische/anorganische Verunreinigungen, z.B. für TSVs mit Aspektverhältnis bis 25:1, ultrahochdichte BEOL, Cu/Cu-Hybridverbindungen. Anforderungen: Partikel <1 μm, Metallkontamination <10^9 Atomen/cm², Rauheit <5 Å. Kompatibel mit stark verzogenen Wafern. Automatisiert: Entladen aus FOUP, Wenden, Nassprozesse, Rückladen. Rezepturprogrammierung für F&E. Inklusive Chemikalienschrank. Optionen: Waferdicke 300–600 μm, Verzug 1500–2500 μm, anorganischer Ätzprozess. Plasmasystem (IZM-115.1) - PR1115793-2590-P
1 piece: Plasmasystem (IZM-115.1) The formation of very fine RDLs (redistribution layers) < 5 µm on large organic substrates requires the replacement of wet-chemical processes by dry-etching. Due to the strongly anistropic character of plasma etching an undercut of the fine Cu line can be avoided, opening the way to structures of 2 µm and below. The plasma tool for panel up to 600mm will be a ICP system with yery high etch rates for organic materials like photoresists and ABF. In contrast to the existing plasma system, optimized for precise metal etching, the new ICP tool will allow development and use of very fast etching cycles, compatible with industrial processes.300mm fully automated high resolution in-line CD and overlay (IZM-133.1) - PR1191754-3460-P
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- The submission deadline is 20. April 2026.
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- The contracting authority is Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V..
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