Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenTED
DRIE etch cluster (Mainframe + 3 Chambers) (IPMS-MRS07.1; IPMS-MRS07.2; IPMS-MRS08.1; IPMS-MRS08.2) - PR882587-2480-P
1 Stück DRIE etch cluster (Mainframe+3 Kammern): IPMS-MRS07.1: Etching Mainframe IPMS-MRS07.2: DRIE etching chamber (Kammer1 für tiefes Silizium-Ätzen) IPMS-MRS08.1: Etching module, das in den Mainframe MRS07 integriert wird (Kammer 2 für das Oxid-Ätzen von dicken Hartmasken) IPMS-MRS08.2: ICP etching module, das in den Mainframe MRS07 in...
Laborinstrumente, Verfahrenstechnik
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Inhalt auf einen Blick
- Ausschreibungstyp:
- Ausschreibung
- Auftraggeber:
- Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle Bau
- Veröffentlicht:
- 19. Juli 2026
- Frist:
- Nicht angegeben
- Thema:
- Laborinstrumente
Ausschreibungsbeschreibung
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1 Stück DRIE etch cluster (Mainframe+3 Kammern): IPMS-MRS07.1: Etching Mainframe IPMS-MRS07.2: DRIE etching chamber (Kammer1 für tiefes Silizium-Ätzen) IPMS-MRS08.1: Etching module, das in den Mainframe MRS07 integriert wird (Kammer 2 für das Oxid-Ätzen von dicken Hartmasken) IPMS-MRS08.2: ICP etching module, das in den Mainframe MRS07 integriert wird (Kammer 3 für Nitrid- und Poly-Si-Ätzung mit hoher Selektivität für SiO2) optionale Leistungspositionen: 5.7 Kassetten-/Wafer-Spezifikationen Verarbeitung von Quarz-Wafern gemäß den oben genannten Spezifikationen ja/nein 7.2 Erweiterte Gewährleistung Eine Verlängerung der Gewährleistung um weitere 12 Monate sollte angeboten werden. Während der Gewährleistungszeit sind alle Support-, Reparatur- und Ersatzteilkosten kostenlos. ja/nein 8.7 Mainframe DRIE-Cluster Bevorzugte Liftpin-Positionen (siehe Blatt Liftpin-Positionen) eine der drei angegebenen Konfigurationen ja/nein 12.2 Werkzeugabnahme Der Werkzeugkauf beinhaltet eine Abnahmeprüfung und eine Prozess- und Wartungsschulung für mindestens zwei Prozessingenieure und zwei Hardware-Ingenieure. ja/nein
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Ausführungsorte
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Bieter und Auftragnehmer
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Veröffentlichungsstelle
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Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchen1 Stück DRIE etch cluster (Mainframe+3 Kammern): IPMS-MRS07.1: Etching Mainframe, IPMS-MRS07.2: DRIE etching chamber (Kammer1 für tiefes Silizium-Ätzen), IPMS-MRS08.1: Etching module, das in den Mainframe MRS07 integriert wird (Kammer 2 für das Oxid-Ätzen von dicken Hartmasken), IPMS-MRS08.2: ICP etching module, das in den Mainframe MRS07 integriert wird (Kammer 3 für Nitrid- und Poly-Si-Ätzung mit hoher Selektivität für SiO2). Optionale Leistungspositionen: 5.7ALD System Upgrade (IPMS-CNT06.2) - PR867128-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12München1 ALD-System-Upgrade: Pulsar-Upgrade (1 Kammer an bestehendes Mainframe)/ Pulsar-Upgrade (1 Kammer an bestehendem XP4-Mainframe) Die folgende Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein Teil eines Anlagen-Upgrades zur Abscheidung von dielektrischen Schichten (dotiertem) HfO2 mittels thermischer ALD-Verfahren auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm. Es wird gefordert, dass das Gerät kontinuierlich die vorgesehenen Funktionen in Übereinstimmung mit allen in dieser EPS spezifizierten Anforderungen ohne Fehlfunktionen oder Ausfälle ausführt. Darüber hinaus muss das Gerät mit allen nachfolgend beschriebenen Komponenten und Teilen geliefert werden, die notwendig sind, damit das Gerät die vorgesehenen Funktionen und Fähigkeiten gemäß allen in dieser EPS genannten Anforderungen erfüllen kann. Die zweite Pulsar-Kammer von ASM als Upgrade muss mit dem vorhandenen Mainframe "XP4" und den bereits vorhandenen Kammern "Pulsar" und "EmerALD" kompatibel sein. Optionale Leistungspositionen / Optionen der Produkt- / Leistungsbeschreibung: 2.2.1.1.1 Grundausstattung ein zusätzlicher Loadport im Front End Interface (300mm, SEMI E184) ja / nein 2.2.1.1.5 Basiskonfiguration Waferrotation/Waferindexer in Prozesskammer für bessere Homogenitätswerte vorhanden ja / nein 2.2.1.1.7 Basiskonfiguration Insitu-Ellipsometer-Einbauöffnungen an der Kammer ja / nein 2.2.1.1.9 Grundkonfiguration Das Front End Interface ist mit einem Notch Aligner ausgestattet. Dieser verfügt über einen programmierbaren Kerbwinkel mit einer Genauigkeit von ≤0.5º für die Kerbe und ≤0.1mm für die Zentrierung ja / nein 2.2.1.2.5 Kassetten- und Waferspezifikation - Wafermaterial Quarzwafer (Abmessungen gemäß 2.2.1.2.6 -2.2.1.2.10) ja / nein 2.2.2.8 Optionaler Pulsar-Vorschlag für alternative Al-Quellen ja/nein .2.2.9 Pulsar BKM Prozess und Dokumentation für die thermische ALD von Ta2O3 mit Halogenid-Precursor inklusive Vorschläge für bereitzustellende Precursor ja/nein 2.2.2.13 Pulsar Option für dritte beheizte Precursorquelle "falls kein Hig verfügbar, alternative Lieferung von Heizmantel für Precursorquelle und Leitungen; ja/nein" 2.2.3.1 Subtools Pumpen sind im Angebot enthalten. ja/nein 2.2.3.4 Unterwerkzeuge erforderlich Ozonisator ja/nein 4.3.2.16 Prozessabnahme-Tests Prozesstest: 10nm HfO2 auf 3D-Wafern mit HfCl4 und metallorganischen Hf-Vorläufern (z.B. HyALD) "Prüfung der Stufenbedeckung in einer tiefen Grabenstruktur, so dass mindestens 70-80% der Bedeckungsdicke im Boden eines Grabens für Seitenverhältnisse 1:20 erreicht werden; ja/nein" 4.8.1 Gawährleistungsverlängerung Bitte bieten Sie eine Verlängerung der Gewährleistung um weitere 12 Monate an. Während der Gewährleistungszeit sind alle Support-, Reparatur- und Ersatzteilkosten abgedeckt und kostenlos. ja / nein 5.1.2 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Set von Verbrauchsmaterialien (Lampen, Ventile, etc., Kammer- und Prozess-Kits) ja/nein 5.1.3 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Offline-Rezepturverwaltungssystem ja/nein 5.2.2 Allgemeine Optionen Energieverbrauchserfassungssystem (z.B. Stromzähler) ja/nein 5.2.4 Allgemeine Optionen Angebot und Zeitplan für neue LPV-Gefäßkonfiguration Nachrüstung für bestehende Pulsar-Kammer als Upgrade ja/nein 5.2.5 Allgemeine Optionen Angebot für neue Verbrauchsmaterialien für die alte Pulsar-Kammer (Lampen, Ventile, etc., Kammer- und Prozess-Kits) ja/neinSystem for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1) - PR1153448-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenFrist: 15. Juli1 Stück System for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1) Die Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein vollautomatisches Prozessgerät, das für Plasmaätzprozesse auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm eingesetzt werden soll. Die Systeme werden für die Bearbeitung von Silizium-CMOS-Wafern in einer Produktionsumgebung der Reinraumklasse 1000 (entspricht in etwa Klasse 6 nach EN ISO 14644-1) eingesetzt. Das neue Werkzeug soll zur Strukturierung von Strukturen mit hohem Aspektverhältnis in Silizium sowie in allen damit verbundenen erforderlichen Materialien (z. B. SiO₂, SiN) eingesetzt werden, um dieses Hauptziel zu erreichen. Optionale Positionen gemäß Technical Tender Specification.Defect Inspection Tool (IPMS-MRS04.1) - PR948311-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchen1 Stück Defect Inspection Tool (IPMS-MRS04.1) Diese Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein Fehlerinspektionssystem, das für die Erkennung, Identifizierung und Klassifizierung von Partikeln und Musterfehlern auf strukturierten und unstrukturierten Wafern entwickelt wurde. Das Gerät kann Substrate mit einer variablen Dicke von etwa 390 µm bis 1200 µm aufnehmen und bietet somit Flexibilität für verschiedene Wafertypen und Anwendungen. Das Inspektionssystem verfügt über eine Empfindlichkeit von bis zu 200 nm und ermöglicht so die Erkennung selbst kleinster Defekte, die die Leistung des Wafers beeinträchtigen könnten. Das System ist für den Halbleiterfertigungsprozess optimiert und speziell auf 200-mm-MEMS-Wafer in einer CMOS-kompatiblen Reinraumumgebung ausgerichtet. Optionale Positionen: 1.7 Allgemeine Anforderungen Fähigkeit zur Verarbeitung von 300-mm-Wafern ja/nein 3.2 Prozessspezifikation Fähigkeit zur separaten BF/DF-Beleuchtung ja/nein 3.3 Prozessspezifikation Fähigkeit zur Zweikanalinspektion (BF/DF) ja/nein 3.7 Prozessspezifikation Das Werkzeug unterstützt die Erstellung von waferlosen Rezepten ja/nein 3.29 Prozessspezifikation Fähigkeit zur Erzeugung eines vollständigen Waferbildes ja/nein 4.2 Kontaminationsgrad Kontaminationsgrad für Nichtedelmetalle Al, Ti ≤ 50,0*E10 at/cm², alle anderen Metalle ≤ 5,0*E10 at/cm²; ja/nein 4.4 Kontaminationsgrad Kontaminationsgrad für Edelmetalle (Ag, Au, Pd, Pt, Ru) Bestätigung der Edelmetallkonzentration < 0,05*E10 at/cm2 (< LOD); ja/nein 5.5 Kassetten-/Wafer-Spezifikationen Option zur Handhabung von Wafern mit hoher Wölbung < ± 200 µm ja/neinRemote Plasma PVD Chamber (IPMS-CNT04.2) - PR917294-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenBeschaffung einer Remote-Plasma-PVD-Kammer als Upgrade für bestehenden Polyteknik Flextura 300 Cluster zur Abscheidung metallischer/nichtmetallischer Dünnschichten auf 300-mm-Wafern. Kompatibel mit vorhandenen Kammern. Optionen: Plasma-Emissions-Monitoring (PEM), Restgasanalysator (RGA), Quarzkristall-Mikrowaage, zusätzlicher Gaseinlass, vorinstallierte Targets (Zr, Nb, Cu, SiN), Gewährleistungsverlängerung um 1 Jahr.Waferstepper & coating line (IPMS-MRS16.1.1, IPMS-MRS16.1.2) - PR946521-2480- P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenWaferstepper & coating line (IPMS-MRS16.1.1 + IPMS-MRS16.1.2)
Häufige Fragen zu dieser Ausschreibung
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- Für diese Bekanntmachung ist aktuell keine konkrete Angebotsfrist angegeben.
- Wer ist der Auftraggeber?
- Der Auftraggeber ist Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle Bau.
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- In der Regel benötigen Sie Leistungsbeschreibung, Eignungsnachweise, Fristenhinweise und ggf. Formblätter. Auf Auftrag One werden diese Punkte priorisiert dargestellt.