Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenTED
Upgrade BEOL etching system (IPMS-CNT05.2) - PR874835-2480-P
1 Stück Upgrade BEOL etching system: Prozesskammer für Plasmaätzprozesse auf 300-mm-Wafern für bestehendes Cluster-Tool Tokyo Electron TACTRAS. Optionen: Temperatur einstellbar; Oxidätzen mit Resistmaske; ARC-Ätzen; Starterezepte für SiO2- und ARC-Ätzen; Gase: SiF4, Cl2, CF4, SiCl4, Ar, NF3, C4F8, CH2F2; erweiterte Gaskonfiguration; Hocht...
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- Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle Bau
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- May 31, 2026
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1 Stück Upgrade BEOL etching system: Prozesskammer für Plasmaätzprozesse auf 300-mm-Wafern für bestehendes Cluster-Tool Tokyo Electron TACTRAS. Optionen: Temperatur einstellbar; Oxidätzen mit Resistmaske; ARC-Ätzen; Starterezepte für SiO2- und ARC-Ätzen; Gase: SiF4, Cl2, CF4, SiCl4, Ar, NF3, C4F8, CH2F2; erweiterte Gaskonfiguration; Hochtemperatur-Kit.
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7Upgrade BEOL etching system (IPMS-CNT05.2)
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12MünchenUpgrade eines bestehenden Cluster-Tools (Tokyo Electron TACTRAS) um eine Prozesskammer für Plasmaätzprozesse auf 300 mm Wafern. Optionale Leistungen: einstellbare ESC-Temperatur, Oxidätzen mit Resistmaske (TSV-Mid), ARC-Ätzen, Starterrezepte für SiO2- und ARC-Ätzen, Gase (SiF4, Cl2, CF4, SiCl4, Ar, NF3, C4F8, CH2F2), erweiterte Gaskonfiguration, Hochtemperatur-Kit.ALD System Upgrade (IPMS-CNT06.2) - PR867128-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12München1 ALD-System-Upgrade: Pulsar-Upgrade (1 Kammer an bestehendes Mainframe)/ Pulsar-Upgrade (1 Kammer an bestehendem XP4-Mainframe) Die folgende Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein Teil eines Anlagen-Upgrades zur Abscheidung von dielektrischen Schichten (dotiertem) HfO2 mittels thermischer ALD-Verfahren auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm. Es wird gefordert, dass das Gerät kontinuierlich die vorgesehenen Funktionen in Übereinstimmung mit allen in dieser EPS spezifizierten Anforderungen ohne Fehlfunktionen oder Ausfälle ausführt. Darüber hinaus muss das Gerät mit allen nachfolgend beschriebenen Komponenten und Teilen geliefert werden, die notwendig sind, damit das Gerät die vorgesehenen Funktionen und Fähigkeiten gemäß allen in dieser EPS genannten Anforderungen erfüllen kann. Die zweite Pulsar-Kammer von ASM als Upgrade muss mit dem vorhandenen Mainframe "XP4" und den bereits vorhandenen Kammern "Pulsar" und "EmerALD" kompatibel sein. Optionale Leistungspositionen / Optionen der Produkt- / Leistungsbeschreibung: 2.2.1.1.1 Grundausstattung ein zusätzlicher Loadport im Front End Interface (300mm, SEMI E184) ja / nein 2.2.1.1.5 Basiskonfiguration Waferrotation/Waferindexer in Prozesskammer für bessere Homogenitätswerte vorhanden ja / nein 2.2.1.1.7 Basiskonfiguration Insitu-Ellipsometer-Einbauöffnungen an der Kammer ja / nein 2.2.1.1.9 Grundkonfiguration Das Front End Interface ist mit einem Notch Aligner ausgestattet. Dieser verfügt über einen programmierbaren Kerbwinkel mit einer Genauigkeit von ≤0.5º für die Kerbe und ≤0.1mm für die Zentrierung ja / nein 2.2.1.2.5 Kassetten- und Waferspezifikation - Wafermaterial Quarzwafer (Abmessungen gemäß 2.2.1.2.6 -2.2.1.2.10) ja / nein 2.2.2.8 Optionaler Pulsar-Vorschlag für alternative Al-Quellen ja/nein .2.2.9 Pulsar BKM Prozess und Dokumentation für die thermische ALD von Ta2O3 mit Halogenid-Precursor inklusive Vorschläge für bereitzustellende Precursor ja/nein 2.2.2.13 Pulsar Option für dritte beheizte Precursorquelle "falls kein Hig verfügbar, alternative Lieferung von Heizmantel für Precursorquelle und Leitungen; ja/nein" 2.2.3.1 Subtools Pumpen sind im Angebot enthalten. ja/nein 2.2.3.4 Unterwerkzeuge erforderlich Ozonisator ja/nein 4.3.2.16 Prozessabnahme-Tests Prozesstest: 10nm HfO2 auf 3D-Wafern mit HfCl4 und metallorganischen Hf-Vorläufern (z.B. HyALD) "Prüfung der Stufenbedeckung in einer tiefen Grabenstruktur, so dass mindestens 70-80% der Bedeckungsdicke im Boden eines Grabens für Seitenverhältnisse 1:20 erreicht werden; ja/nein" 4.8.1 Gawährleistungsverlängerung Bitte bieten Sie eine Verlängerung der Gewährleistung um weitere 12 Monate an. Während der Gewährleistungszeit sind alle Support-, Reparatur- und Ersatzteilkosten abgedeckt und kostenlos. ja / nein 5.1.2 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Set von Verbrauchsmaterialien (Lampen, Ventile, etc., Kammer- und Prozess-Kits) ja/nein 5.1.3 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Offline-Rezepturverwaltungssystem ja/nein 5.2.2 Allgemeine Optionen Energieverbrauchserfassungssystem (z.B. Stromzähler) ja/nein 5.2.4 Allgemeine Optionen Angebot und Zeitplan für neue LPV-Gefäßkonfiguration Nachrüstung für bestehende Pulsar-Kammer als Upgrade ja/nein 5.2.5 Allgemeine Optionen Angebot für neue Verbrauchsmaterialien für die alte Pulsar-Kammer (Lampen, Ventile, etc., Kammer- und Prozess-Kits) ja/neinPVD metal system for QMI connection (IPMS-MRS12.1) - PR926027-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchen1 Stück PVD metal system for QMI connection (IPMS-MRS12.1) Ausrüstung für das Sputtern von AlCu, Al, Ti/TiN und das Rückätzen in unabhängigen Kammern mit planaren Targets über 200-mm-Wafern. Dieses System ist für zwei Prozesslinienanwendungen erforderlich. Eine Anwendung ist die Abscheidung einer Metallfüllung im Inneren von TSV für die fortschrittliche Integration von MEMS-Chiplets. Das zweite Anwendungsszenario ist die Metallsystem- oder Frontside-TSV-Füllungsabscheidung für QMI-Metallisierungsysteme. In beiden Anwendungen ist die konforme Abscheidung der Barriere erforderlich, um eine optimale Kontaktqualität zu erzielen. Optionale Leistungspositionen: 2.4 Handlingsystem Das Werkzeug ist in der Lage, zwei verschiedene Sequenzen gleichzeitig zu bearbeiten. ja/nein 2.9 Handlingsystem Möglichkeit zur Kantenbearbeitung ja/nein 3.6 Kassetten/Wafer-Spezifikationen Verarbeitung von Quarz-Wafern gemäß den oben genannten Spezifikationen ja/nein 4.5 Prozesssystem HF-Generatoren mit automatischem Anpassungsnetzwerk zum Anlegen einer Substratvorspannung in der Kammer für alle anderen Sputterkammern "100 - 600 W; ja/nein" 4.16 Prozesssystem Das Gerät ist mit einer Entgasungsstation ausgestattet. "Chuck temperature 200°C; yes/no" 4.17 Process System Das Gerät ist mit einer Wafer-Pufferstation ausgestattet. "Wafermenge im Puffer ≥6; ja/nein" 4.19 Prozesssystem Chucktemperatur in Prozesskammer für Prozess "Ätzen" "< 20°C; ja/nein" 19.6 Gewährleistungsverlängerung Verlängerung der Gewährleistung um weitere 12 Monate. ja/nein 21.9 Betriebszeit/Reparatur/Zuverlässigkeit Satz von Verschleißteilen (Lampen, O-Ringe, Ventile usw.) zur Abdeckung der Grundgarantiezeit ja/neinSystem for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1) - PR1153448-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenDeadline: Jul 151 Stück System for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1) Die Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein vollautomatisches Prozessgerät, das für Plasmaätzprozesse auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm eingesetzt werden soll. Die Systeme werden für die Bearbeitung von Silizium-CMOS-Wafern in einer Produktionsumgebung der Reinraumklasse 1000 (entspricht in etwa Klasse 6 nach EN ISO 14644-1) eingesetzt. Das neue Werkzeug soll zur Strukturierung von Strukturen mit hohem Aspektverhältnis in Silizium sowie in allen damit verbundenen erforderlichen Materialien (z. B. SiO₂, SiN) eingesetzt werden, um dieses Hauptziel zu erreichen. Optionale Positionen gemäß Technical Tender Specification.Die-to-Wafer Bonder (IPMS-MRS14.1) - PR922727-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12MünchenDeadline: Jul 241 Piece -Die-to-Wafer Bonder (IPMS-MRS14.1) Option 1 (LV Pos. 1.13): Please offer an extended warranty of further 12 months (in total 24 month) Option 2 (LV Pos. 3.6): The tool should handle wafers with the size of (source and target) Option 3 (LV Pos. 3.14): The chiplets can be picked from this type of tray (source) Option 4 (LV Pos. 4.1): The system can be controlled using SECS-GEM commands. The following protocols must be supported: E30, E5, E37 and E10. Alternatively, a proprietary but completely documented communication interface has to be provided.Advanced cleaning tool (IPMS-MRS09.2) - PR1119624-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12MünchenDeadline: Jul 03Advanced cleaning tool (IPMS-MRS09.2) including a set of consumable parts (o-rings, valves, etc.) to cover the warranty period, and extended warranty coverage.Plasma Activation Tool (IPMS-MRS14.3) - PR1091613-2480-P
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12Deadline: May 191 Stück Plasma Activation Tool (IPMS-MRS14.3). Optionen: erweiterte Garantie auf insgesamt 24 Monate; Werkzeug für Wafer der Größe (nicht spezifiziert); Chuck für 300mm Wafer; kann getapte Wafer mit Dicing-Frame für 300mm gemäß IPMS-Spezifikation verarbeiten.
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