Imec EU Pilot line NVHeverleeTED
Single Wafer ALD tool
Beschaffung des Single Wafer ALD Tools. Verfahrensart: Verhandlungsverfahren mit vorheriger Veröffentlichung eines Aufrufs zum Wettbewerb. Beschleunigung: nein.
Submission deadline: August 13, 2026 (expired)Type: Tender
Laboratory Instruments
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- Tender
- Contracting authority:
- Imec EU Pilot line NV
- Published:
- July 13, 2026
- Deadline:
- August 13, 2026
- Topic:
- Laboratory Instruments
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Beschaffung des Single Wafer ALD Tools. Verfahrensart: Verhandlungsverfahren mit vorheriger Veröffentlichung eines Aufrufs zum Wettbewerb. Beschleunigung: nein.
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Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12München1 ALD-System-Upgrade: Pulsar-Upgrade (1 Kammer an bestehendes Mainframe)/ Pulsar-Upgrade (1 Kammer an bestehendem XP4-Mainframe) Die folgende Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein Teil eines Anlagen-Upgrades zur Abscheidung von dielektrischen Schichten (dotiertem) HfO2 mittels thermischer ALD-Verfahren auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm. Es wird gefordert, dass das Gerät kontinuierlich die vorgesehenen Funktionen in Übereinstimmung mit allen in dieser EPS spezifizierten Anforderungen ohne Fehlfunktionen oder Ausfälle ausführt. Darüber hinaus muss das Gerät mit allen nachfolgend beschriebenen Komponenten und Teilen geliefert werden, die notwendig sind, damit das Gerät die vorgesehenen Funktionen und Fähigkeiten gemäß allen in dieser EPS genannten Anforderungen erfüllen kann. Die zweite Pulsar-Kammer von ASM als Upgrade muss mit dem vorhandenen Mainframe "XP4" und den bereits vorhandenen Kammern "Pulsar" und "EmerALD" kompatibel sein. Optionale Leistungspositionen / Optionen der Produkt- / Leistungsbeschreibung: 2.2.1.1.1 Grundausstattung ein zusätzlicher Loadport im Front End Interface (300mm, SEMI E184) ja / nein 2.2.1.1.5 Basiskonfiguration Waferrotation/Waferindexer in Prozesskammer für bessere Homogenitätswerte vorhanden ja / nein 2.2.1.1.7 Basiskonfiguration Insitu-Ellipsometer-Einbauöffnungen an der Kammer ja / nein 2.2.1.1.9 Grundkonfiguration Das Front End Interface ist mit einem Notch Aligner ausgestattet. Dieser verfügt über einen programmierbaren Kerbwinkel mit einer Genauigkeit von ≤0.5º für die Kerbe und ≤0.1mm für die Zentrierung ja / nein 2.2.1.2.5 Kassetten- und Waferspezifikation - Wafermaterial Quarzwafer (Abmessungen gemäß 2.2.1.2.6 -2.2.1.2.10) ja / nein 2.2.2.8 Optionaler Pulsar-Vorschlag für alternative Al-Quellen ja/nein .2.2.9 Pulsar BKM Prozess und Dokumentation für die thermische ALD von Ta2O3 mit Halogenid-Precursor inklusive Vorschläge für bereitzustellende Precursor ja/nein 2.2.2.13 Pulsar Option für dritte beheizte Precursorquelle "falls kein Hig verfügbar, alternative Lieferung von Heizmantel für Precursorquelle und Leitungen; ja/nein" 2.2.3.1 Subtools Pumpen sind im Angebot enthalten. ja/nein 2.2.3.4 Unterwerkzeuge erforderlich Ozonisator ja/nein 4.3.2.16 Prozessabnahme-Tests Prozesstest: 10nm HfO2 auf 3D-Wafern mit HfCl4 und metallorganischen Hf-Vorläufern (z.B. HyALD) "Prüfung der Stufenbedeckung in einer tiefen Grabenstruktur, so dass mindestens 70-80% der Bedeckungsdicke im Boden eines Grabens für Seitenverhältnisse 1:20 erreicht werden; ja/nein" 4.8.1 Gawährleistungsverlängerung Bitte bieten Sie eine Verlängerung der Gewährleistung um weitere 12 Monate an. Während der Gewährleistungszeit sind alle Support-, Reparatur- und Ersatzteilkosten abgedeckt und kostenlos. ja / nein 5.1.2 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Set von Verbrauchsmaterialien (Lampen, Ventile, etc., Kammer- und Prozess-Kits) ja/nein 5.1.3 Anforderungspositionen, die angeboten werden sollen Offline-Rezepturverwaltungssystem ja/nein 5.2.2 Allgemeine Optionen Energieverbrauchserfassungssystem (z.B. Stromzähler) ja/nein 5.2.4 Allgemeine Optionen Angebot und Zeitplan für neue LPV-Gefäßkonfiguration Nachrüstung für bestehende Pulsar-Kammer als Upgrade ja/nein 5.2.5 Allgemeine Optionen Angebot für neue Verbrauchsmaterialien für die alte Pulsar-Kammer (Lampen, Ventile, etc., Kammer- und Prozess-Kits) ja/neinFully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140)
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenBeschreibung: 1 System: Fully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Werkzeug für die elektrochemische Abscheidung (ECD) verschiedener Metallschichten auf Wafer-Substraten. Der Schwerpunkt liegt auf Bumps mit hohem Aspektverhältnis, Redistribution Layers (RDL) und der Kupferfüllung von Silizium-Durchkontaktierungen (TSV) mit hohem Aspektverhältnis. Die Wafer-Substrate bestehen aus Silizium und/oder Glas, haben Durchmesser von 200 und 300 mm und eine Dicke von bis zu 2 mm. Vor dem Prozess werden die Wafer in Front Opening Unified Pods (FOUPs) zum Werkzeug transportiert, die vom Bediener manuell auf die jeweiligen Ladeöffnungen gesetzt werden. Das neue Werkzeug muss in der Lage sein, die folgenden Schritte vollautomatisch auszuführen: • Entladen der vorgesehenen Wafer aus dem FOUP • Durchführen der Nassprozesse • Entladen der Wafer zurück in ihre Ausgangsposition im FOUP Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlichen angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein. Das mit der neuen ECD-Kammergeneration für galvanische Prozesse zu beschaffende System ermöglicht die flexible Metallabscheidung von Säulen mit hohem Aspektverhältnis, TSV (vollständige Füllung/Auskleidung), Damascene-RDL/Vias (z. B. für Hybridbonding) sowie hochdichte RDLs mit Linien-/Abstandsabständen von < 1 µm für 300-mm-BEOL-Prozesse, wobei die Handhabung die Verarbeitung von verdünnten und gebondeten Wafern und Glaswafern (2,5D/3D-Systeme) mit hoher Verformung und Wölbung ermöglicht. Das Werkzeug muss die Galvanisierung und Füllung von höheren Aspektverhältnissen und größeren Volumina ermöglichen. Die für diese neuen Anwendungen erforderlichen Verbindungsmetalle sind Cu, Ni, SnAg, Au und optional In. Optionale Features: - Ausgedünnter Wafer-Dickenbereich von 200 und 300 mm (Si oder Glas): 300 ... 600 µm (LV- Pos. 1.19.) - Maschine ist für WafFully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) - PR1163163-3460-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchen1 System: Fully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Werkzeug für die elektrochemische Abscheidung (ECD) verschiedener Metallschichten auf Wafer-Substraten. Der Schwerpunkt liegt auf Bumps mit hohem Aspektverhältnis, Redistribution Layers (RDL) und der Kupferfüllung von Silizium-Durchkontaktierungen (TSV) mit hohem Aspektverhältnis. Die Wafer-Substrate bestehen aus Silizium und/oder Glas, haben Durchmesser von 200 und 300 mm und eine Dicke von bis zu 2 mm. Vor dem Prozess werden die Wafer in Front Opening Unified Pods (FOUPs) zum Werkzeug transportiert, die vom Bediener manuell auf die jeweiligen Ladeöffnungen gesetzt werden. Das neue Werkzeug muss in der Lage sein, die folgenden Schritte vollautomatisch auszuführen: • Entladen der vorgesehenen Wafer aus dem FOUP • Durchführen der Nassprozesse • Entladen der Wafer zurück in ihre Ausgangsposition im FOUP Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlichen angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein. Das mit der neuen ECD-Kammergeneration für galvanische Prozesse zu beschaffende System ermöglicht die flexible Metallabscheidung von Säulen mit hohem Aspektverhältnis, TSV (vollständige Füllung/Auskleidung), Damascene-RDL/Vias (z. B. für Hybridbonding) sowie hochdichte RDLs mit Linien-/Abstandsabständen von < 1 µm für 300-mm-BEOL-Prozesse, wobei die Handhabung die Verarbeitung von verdünnten und gebondeten Wafern und Glaswafern (2,5D/3D-Systeme) mit hoher Verformung und Wölbung ermöglicht. Das Werkzeug muss die Galvanisierung und Füllung von höheren Aspektverhältnissen und größeren Volumina ermöglichen. Die für diese neuen Anwendungen erforderlichen Verbindungsmetalle sind Cu, Ni, SnAg, Au und optional In. Optionale Features: - Ausgedünnter Wafer-Dickenbereich von 200 und 300 mm (Si oder Glas): 300 ... 600 µm (LV- Pos. 1.19.) - Maschine ist für Wafer-Flip vorberALD-Anlage
Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V.JenaDeadline: Aug 11Ausschreibung für eine Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (PE-ALD) zur Abscheidung von Dünnschichten auf Substraten vom Einzelchipformat (5x5 mm²) bis 150 mm Wafer. Das System muss reproduzierbare Abscheideprozesse verschiedener leitfähiger, halbleitender und dielektrischer Schichten sowie Multilagen ohne Vakuumunterbrechung ermöglichen. Lieferung eines Steuer-PCs mit Monitor, Tastatur, Maus, Softwarelizenzen und Betriebssystem (Win 11).
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- The submission deadline is 13. August 2026.
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