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Atomic Layer Deposition (ALD)-Anlage
Eine Atomic-Layer-Deposition (ALD)-Anlage zur Durchführung von Forschungsarbeiten
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- Contracting authority:
- Technische Universität München
- Published:
- August 26, 2026
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Eine Atomic-Layer-Deposition (ALD)-Anlage zur Durchführung von Forschungsarbeiten
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7Beschaffung einer kompakten Atomic-Layer-Deposition-(ALD)-Anlage zur Herstellung hochqualitativer funktioneller Dünnschichten
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Beschaffung, Zahlstelle (K13)MagdeburgDeadline: Sep 14Nationale Ausschreibung nach UVgO Öffentliche Ausschreibung Vergabenr.: 2026/0405/K13/SCH 1. Zur Angebotsabgabe auffordernde Stelle, zuschlagserteilende Stelle: Name und Anschrift: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abt. Beschaffung, Zahlstelle (K13) Universitätsplatz 2 39106 Magdeburg Deutschland Telefonnummer: Telefaxnummer: E-Mail-Adresse: Internet-Adresse: www.ovgu.de Zuschlagserteilende Stelle: Siehe oben 2. Verfahrensart (§ 8 UVgO): Verfahrensart: Öffentliche Ausschreibung 3. Angebote können abgegeben werden: elektronisch in Textform Anschrift zur Einreichung schriftlicher Angebote: ENTFÄLLT- (es sind ausschließlich elektronische Angebote zugelassen) 4. Zugriff auf Vergabeunterlagen: Maßnahmen zum Schutz der Vertraulichkeit und die Informationen zum Zugriff auf die Vergabeunterlagen (§ 29 Abs. 3 UVgO): Entfällt (siehe 9.). 5. Art und Umfang sowie Ort der Leistung: Art der Leistung: Beschaffung einer kompakten Atomic-Layer-Deposition-(ALD)-Anlage zur Herstellung hochqualitativer funktioneller Dünnschichten Menge und Umfang: Beschaffung einer kompakten Atomic-Layer-Deposition-(ALD)-Anlage zur Herstellung hochqualitativer funktioneller Dünnschichten. Der geschätzte Auftragswert beträgt 116.000,00 EUR netto. Ort der Leistungserbringung in 39106 Magdeburg. Weitere Anforderungen entnehmen Sie bitte der Leistungsbeschreibung. Mittelherkunft: Gewährung projektbezogener Zuweisungen zur Förderung von Wissenschaft und Forschung an Hochschulen, sowie des Neuen Europäischen Bauhauses in Sachsen-Anhalt aus Mitteln der Europäischen Union in der Förderperiode 2021-2027 (Sachsen-Anhalt WISSENSCHAFT STEP) Ort der Leistung: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg Universitätsplatz 2 39106 Magdeburg 6. Losaufteilung: Losweise Vergabe: Nein 7. Nebenangebote sind nicht zugelassen 8. Etwaige Bestimmungen über die Ausführungsfrist: Beginn der Ausführungsfrist: Ende der Ausführungsfrist: Bemerkung zur Ausführungsfrist: 9. Elektronische Adresse, unter der die Teilnahmewettbewerbsunterlagen/Vergabeunterlagen abgerufen werden können: unter (URL:): https://www.evergabe.de/unterlagen/54321-Tender-1a046fb64f8-cb9f3ac002a6f96 10. Ablauf der Angebots- und Bindefrist: Angebote sind einzureichen bis: 14.09.2026 23:59 Ablauf der Bindefrist: 14.10.2026 11. Höhe der etwa geforderten Sicherheitsleistungen: : 12. Wesentliche Zahlungsbedingungen: : Es gelten die Allgemeinen Vertragsbedingungen für die Ausführung von Leistungen - Teil B (VOL/B) https://www.ovgu.de/unimagdeburg_media/VOLB.pdf Es werden keine Vorauszahlungen geleistet. Zahlungsziel 30 Tage, gegen Rechnung. Es wird ausschließlich eine elektronische Rechnung (PDF, XRechnung oder ZUGFeRD) per Email akzeptiert (http://www.ovgu.de/erechnung.de). 13. Ggf. mit dem Angebot vorzulegende Unterlagen zur Eignungsprüfung des Bewerbers: : 1. Liste der mit dem Angebot vorzulegenden Unterlagen: a) Nachunternehmerverzeichnis (wenn beabsichtigt) b) Bescheinigung einer Eintragung in das Unternehmer- und Lieferantenverzeichnis der Auftragsberatungsstelle Sachsen-Anhalt oder gültige Bescheinigung einer anerkannten Präqualifizierungsstelle z.B. DIHK PQ-VOL (https://sachsen-anhalt.abst.de/praequalifizierung-unternehmen/) oder folgender Einzelnachweis: Eigenerklärung §§123, 124 GWB ( https://www.ovgu.de/unimagdeburg_media/Eigenerklärung_123_124_GWB.pdf) c) Ergänzende Vertragsbedingungen TVergGLSA.pdf (werden Vertragsbestandteil) Eigenerklärung zum TVergG-LSA § 11 Abs. 1, 3 und 5 zur Tariftreue, Mindeststundenentgelt und Entgeltgleichheit Eigenerklärung zum TVergG-LSA § 13, Abs. 1 zu den ILO Kernarbeitsnormen Eigenerklärung zum TVergG-LSA § 14, Abs. 2, 4 Nachunternehmer und Verleiher Eigenerklärung zum TVergG-LSA § 17 Abs. 1, 2 und 3 zur Nachweispflicht bei Kontrollen durch den Auftraggeber (Enthalten in den Vergabeunterlagen im Dokument "Ergänzende Vertragsbedingungen TVergGLSA.pdf") https://www.ovgu.de/unimagdeburg_media/Ergänzende_Vertragsbedingungen_TVergGLSA.pdf 14. Angabe der Zuschlagskriterien: Der niedrigsteALD-Anlage
Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V.JenaDeadline: Aug 25Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt für die Dünnschichtabscheidung eine Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (kurz: PE-ALD, engl. Plasma enhanced atomic layer deposition) aus, welche zum Abscheiden von Dünnschichten auf unterschiedlichen Substraten vom Einzelchipformat (5 x 5 mm²) bis mindestens 150 mm Wafer eingesetzt werden soll. Die zentralen Anforderungen an das System sind reproduzierbare Abscheideprozesse verschiedener leitfähiger, halbleitender und dielektrischer Schichten. Diese sollen auch ohne Vakuumunterbrechung (Multilagen) prozessiert werden. Ein Steuer-PC mit Monitor, Tastatur, Maus, entsprechender Software-Lizenzen und aktuellem Betriebssystem (Win 11) ist mitzuliefern.ALD Anlage
IFW Dresden e. V.Dresden1. Allgemeine Informationen: Titel: ALD Anlage 2. Auftraggeber: Name des Auftraggebers: IFW Dresden e.V.; Straße, Hausnummer: Helmholtzstr. 20; PLZ: 01069; Ort: Dresden; Land: Deutschland; E-Mail: [email protected] 3. Vergabeverfahren: Vergabeart/Rechtsrahmen: Freihändige Vergabe ohne Teilnahmewettbewerb - VOL/A; Vergabenummer: 2262988 4. Auftragsgegenstand: CPV-Code: 38000000; Art und : ALD Anlage 5. Ausführungsort: PLZ: 01069; Ort: Dresden; Land: Deutschland 6. Ausführungszeitraum: Zeitraum der Ausführung: März 2029 7. Auftragnehmer: Name des Auftragnehmers: Kurt Lesker; Straße, Hausnummer: Fritz-Schreiter-Str. 18; PLZ: 01259; Ort: Dresden; Land: Deutschland 8. Zusätzliche Angaben: Datum, bis zu dessen Ablauf die Bekanntmachung sichtbar bleiben soll: 04.12.2026 Labortechnik/ MesstechnikRIE Cluster DRIE & Cryo Etch (ENAS-04) - PR1161740-3340-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenRIE Cluster DRIE & Cryo Etch (ENAS-04)Fully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) - PR1163163-3460-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchen1 System: Fully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Werkzeug für die elektrochemische Abscheidung (ECD) verschiedener Metallschichten auf Wafer-Substraten. Der Schwerpunkt liegt auf Bumps mit hohem Aspektverhältnis, Redistribution Layers (RDL) und der Kupferfüllung von Silizium-Durchkontaktierungen (TSV) mit hohem Aspektverhältnis. Die Wafer-Substrate bestehen aus Silizium und/oder Glas, haben Durchmesser von 200 und 300 mm und eine Dicke von bis zu 2 mm. Vor dem Prozess werden die Wafer in Front Opening Unified Pods (FOUPs) zum Werkzeug transportiert, die vom Bediener manuell auf die jeweiligen Ladeöffnungen gesetzt werden. Das neue Werkzeug muss in der Lage sein, die folgenden Schritte vollautomatisch auszuführen: • Entladen der vorgesehenen Wafer aus dem FOUP • Durchführen der Nassprozesse • Entladen der Wafer zurück in ihre Ausgangsposition im FOUP Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlichen angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein. Das mit der neuen ECD-Kammergeneration für galvanische Prozesse zu beschaffende System ermöglicht die flexible Metallabscheidung von Säulen mit hohem Aspektverhältnis, TSV (vollständige Füllung/Auskleidung), Damascene-RDL/Vias (z. B. für Hybridbonding) sowie hochdichte RDLs mit Linien-/Abstandsabständen von < 1 µm für 300-mm-BEOL-Prozesse, wobei die Handhabung die Verarbeitung von verdünnten und gebondeten Wafern und Glaswafern (2,5D/3D-Systeme) mit hoher Verformung und Wölbung ermöglicht. Das Werkzeug muss die Galvanisierung und Füllung von höheren Aspektverhältnissen und größeren Volumina ermöglichen. Die für diese neuen Anwendungen erforderlichen Verbindungsmetalle sind Cu, Ni, SnAg, Au und optional In. Optionale Features: - Ausgedünnter Wafer-Dickenbereich von 200 und 300 mm (Si oder Glas): 300 ... 600 µm (LV- Pos. 1.19.) - Maschine ist für Wafer-Flip vorber300 mm D2W hybrid bonding tool (IZM-131.1) - PR1254078-3460-P
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenDeadline: Sep 011x 300 mm D2W hybrid bonding tool (IZM-131.1) Der Zweck dieser Gerätespezifikation besteht darin, die Anforderungen für das automatisierte D2W-Bonding zur heterogenen 2,5D-/3D-QMI- und Chiplet-Integration zu definieren, das eine Verbindung mit einer Genauigkeit von +/- 200 nm auf einem 300-mm-Wafer ermöglicht. Diese Anlage ist in der Lage, folgende Prozessschritte auszuführen: 1) Automatisches Be- und Entladen der gewünschten Wafer aus einer 12-Zoll-Tape-Frame-Kassette und von 12-Zoll-Wafern aus einem Wafer-FOUP; 2) Auslesen der Wafer- und Tape-Frame-ID; 3) Automatisches Zuführen von Wafern auf den Spannfutter und von Tape-Frames in die Bond-Einheit; 4) Aufnehmen von Dies (Bauteilen) aus dem Tape-Frame, optionales Wenden und präzises Bonden auf den Wafer oder das Die. Die Programmierung und Bedienung muss innerhalb eines angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein, wie es für Forschung und Entwicklung erforderlich ist. Detaillierte Spezifikationen der einzelnen Module finden Sie weiter unten.Mikrodispenser - PR1259028-3240-W
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Einkauf B12 - Vergabestelle BauMünchenDeadline: Sep 28Das Fraunhofer HHI schreibt die Beschaffung eines hochdurchsatzfähigen, kontaktlos arbeitenden Mikrodispensiersystems zur präzisen Applikation kleinster Flüssigkeitsvolumina auf planare Substrate, insbesondere photonisch integrierte Sensorchips und Sensorarrays, aus. Das System soll für die Entwicklung, Optimierung und reproduzierbare Durchführung von Biofunktionalisierungsprozessen auf SiN/SiO₂-basierten photonisch integrierten Sensorchips eingesetzt werden. Hierbei sollen kleinste Flüssigkeitsvolumina ortsgenau im unteren Mikrometerbereich auf definierte aktive Sensorbereiche bzw. Sensorarrays appliziert werden. Die konkrete Oberflächenchemie und Assay-Strategie befinden sich noch in Entwicklung. Das Mikrodispensiersystem muss daher für flexible Forschungs- und Entwicklungsprozesse mit wechselnden Reagenzien, Spotting-Layouts und Substratgeometrien geeignet sein. Ziel ist es, verschiedene Reagenzien, Funktionalisierungsstrategien und Spotting-Prozesse reproduzierbar auf einzelnen Sensorbereichen sowie auf mehreren Chips bzw. Chip-Arrays zu testen. Das System muss die präzise, schonende und kontaminationsarme Dosierung wässriger, biomolekularer und ausgewählter organischer Medien ermöglichen.
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